Просвечивающая электронная микроскопия — Arc.Ask3.Ru

Просвечивающая электронная микроскопия Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) Метод микроскопии, при котором пучок электронов пропускается через образец для формирования изображения   Изображение […]

Просвечивающая электронная микроскопия

  • Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)

    • Метод микроскопии, при котором пучок электронов пропускается через образец для формирования изображения  
    • Изображение формируется в результате взаимодействия электронов с образцом  
    • ПЭМ способна получать изображения с высоким разрешением благодаря меньшей длине волны электронов  
  • Применение ПЭМ

    • Используется в физических, химических и биологических науках  
    • Применяется в исследованиях рака, вирусологии, материаловедении и других областях  
    • Работает в нескольких режимах, включая обычную визуализацию, STEM, дифракцию и спектроскопию  
  • История ПЭМ

    • Первая ПЭМ продемонстрирована в 1931 году Максом Кноллем и Эрнстом Руской  
    • В 1933 году группа разработала первую ПЭМ с разрешением, превышающим разрешение света  
    • В 1986 году Руска получил Нобелевскую премию за разработку ПЭМ  
  • Развитие ПЭМ

    • В 1873 году Эрнст Аббе предположил, что длина волны света ограничивает разрешающую способность микроскопов  
    • В 1858 году Плюкер наблюдал отклонение электронов магнитными полями  
    • В 1926 году Ханс Буш показал, что уравнение создателя линз может быть применено к электронам  
    • В 1931 году группа Кнолля успешно сгенерировала увеличенные изображения сетчатых решеток  
    • В 1932 году Руска предложил сконструировать электронный микроскоп для прямой визуализации образцов  
    • В 1933 году достигнуты более высокие увеличения, чем при использовании светового микроскопа  
  • Дальнейшие исследования

    • После Второй мировой войны Руска продолжил разработку электронного микроскопа  
    • В 1949 году состоялась первая международная конференция по электронной микроскопии  
    • В 1970-х годах Альберт Кру разработал полевой эмиссионный пистолет для создания STEM  
    • Крю продемонстрировал способность получать изображения атомов с помощью кольцевых изображений в темном поле  
  • Конструкция ПЭМ

    • Источник излучения: вольфрамовая нить накала, монокристалл гексаборида лантана или полевой эмиссионный пистолет  
    • Пушка подключена к источнику высокого напряжения, испускает электроны термоэлектронной или полевой эмиссией  
    • В случае термоэлектронного источника используется цилиндр Венельта для фокусировки и стабилизации тока  
    • В полевом источнике используются электростатические электроды для управления формой и интенсивностью электрического поля  
  • Манипуляция электронным лучом

    • Взаимодействие электронов с магнитным полем позволяет манипулировать лучом  
    • Электростатические поля отклоняют электроны на постоянный угол  
    • Соединение двух отклонений формирует смещение траектории луча  
  • Оптика ПЭМ

    • Линзы ПЭМ обеспечивают гибкость режимов работы и фокусировку до атомного масштаба  
    • Линзы изготавливаются из катушки соленоида с ферромагнитными материалами  
    • Регулируемые отверстия позволяют выбирать диапазон пространственных положений электронов  
    • Дефлекторы и стигматоры регулируют положение и угол наклона луча  
  • Взаимность

    • Теорема оптической взаимности утверждает, что амплитуда волны в точке B эквивалентна амплитуде в точке A  
    • Используется для понимания STEM и получения изображений  
  • Дисплей и детекторы

    • Ключевые факторы: квантовая эффективность детектора, функция разброса точек, функция передачи модуляции  
    • Системы визуализации: люминофорный экран, фотопленка, ПЗС-матрицы, цифровые детекторы  
    • Детекторы: CCD, MAPS, КМОП-матрицы, детекторы прямых электронов  
  • Компоненты ПЭМ

    • Вакуумная система: низкий вакуум для увеличения длины свободного пробега электронов, высокий вакуум для предотвращения электрической дуги  
    • Вакуумная система включает роторно-лопастные, мембранные и турбомолекулярные насосы  
    • Высоковольтные ПЭМ требуют сверхвысокого вакуума для предотвращения электрической дуги  
  • Стадия отбора образцов

    • Конструкция подставки для образцов включает воздушные шлюзы для минимизации потери вакуума  
    • Держатели для образцов предназначены для размещения сеток стандартного размера или самонесущих образцов  
    • Стандартные размеры сеток: 3,05 мм в диаметре, толщина и размер ячейки варьируются от нескольких до 100 мкм  
  • Конструкция и использование сеток

    • Сетки диаметром 3,05 мм и 2,3 мм используются в зависимости от типа эксперимента.  
    • Сетки 2,3 мм особенно полезны в минералогии.  
    • Электронно-прозрачные образцы имеют толщину менее 100 нм.  
  • Манипуляции с образцом

    • ПЭМ-стенд позволяет перемещать образец в плоскости XY и регулировать высоту по оси Z.  
    • Вращение образца доступно на специализированных держателях.  
    • Современные ПЭМ обеспечивают перемещение под двумя ортогональными углами наклона.  
  • Критерии проектирования ступеней

    • Ступени должны соответствовать механическим и электронно-оптическим ограничениям.  
    • Современные конструкции используют электрические конструкции сцены.  
  • Типы держателей

    • Держатели с боковым вводом: образец помещается рядом с наконечником стержня.  
    • Держатели с верхним вводом: образец загружается в отверстие картриджа.  
  • Электронная пушка

    • Состоит из нити накала, схемы смещения, колпачка Венельта и вытяжного анода.  
    • Пушка создает пучок электронов под заданным углом.  
    • Для нити накала требуются материалы с высокой температурой плавления или низкой рабочей функцией.  
  • Электронная линза

    • Фокусирует параллельные электроны на постоянном фокусном расстоянии.  
    • Используются электромагнитные катушки для создания выпуклой линзы.  
    • Линзы изготавливаются из железа, железо-кобальтовых или никель-кобальтовых сплавов.  
  • Отверстия

    • Кольцевые металлические пластины, пропускающие электроны дальше определенного расстояния от оптической оси.  
    • Уменьшают интенсивность пучка и удаляют электроны, рассеивающиеся под большими углами.  
    • Могут быть неподвижными или подвижными.  
  • Методы визуализации

    • Используют информацию из электронных волн для формирования изображения.  
    • Линзы проектора обеспечивают правильное позиционирование электронных волн.  
    • Наблюдаемая интенсивность изображения пропорциональна квадрату амплитуды волновых функций электронов.  
  • Зависимость изображения от амплитуды и фазы электронов

    • Изображение зависит от амплитуды и фазы электронов.  
    • Фазовые эффекты важны при меньших увеличениях.  
    • Для тонких образцов преобладают фазовые эффекты.  
  • Режимы работы ПЭМ

    • Визуализация: диафрагма объектива в задней фокальной плоскости.  
    • Дифракция: апертура выбранной области для точного определения области образца.  
  • Формирование контраста

    • Контраст определяется разницей в плотности электронов.  
    • Амплитудно-контрастный эффект достигается удалением части электронов.  
    • Дифракционный контраст возникает из-за кристаллографической ориентации зерна.  
  • Типы амплитудного контраста

    • Массо-толщинный контраст: более тяжелые области рассеивают электроны под большими углами.  
    • Дифракционный контраст: информация об ориентации кристаллов и дефектах.  
  • Дифракционный контраст

    • Образцы могут демонстрировать дифракционный контраст.  
    • Апертура объектива позволяет выбирать желаемые векторы взаимной решетки.  
    • Современные ПЭМЫ позволяют наклонять образец для получения определенных условий дифракции.  
  • Фазовый контраст

    • Кристаллическую структуру можно исследовать с помощью HRTEM.  
    • Изображения формируются из-за различий в фазе электронных волн.  
    • Фазовый контраст можно использовать для получения дополнительной информации.  
  • Дифракция

    • Дифракционная картина формируется путем регулировки магнитных линз.  
    • Дифракционные картины предоставляют информацию о симметриях и ориентации кристалла.  
    • Анализ дифракционных картин сложен и требует компьютерного моделирования.  
  • Дифракция электронов сходящимся пучком (CBED)

    • Сходящийся электронный волновой фронт создает тонкий зонд на поверхности образца  
    • Взаимодействие пучка с образцом дает информацию о структурных данных  
  • Спектроскопия потерь энергии электронов (EELS)

    • Электроны разделяются по спектру в зависимости от их скорости  
    • EEL-спектрометры позволяют выбирать конкретные значения энергии  
    • EELS может использоваться для создания изображений элементного состава  
  • Трехмерное изображение

    • Держатели для образцов позволяют поворачивать образец под разными углами  
    • Серия наклонов используется для построения трехмерного изображения  
    • Реконструкция выполняется в два этапа: выравнивание и реконструкция  
  • Подготовка образцов

    • Толщина образцов должна быть менее 100 нанометров  
    • Материалы наносятся на пленки или заливаются смолой  
    • Биологические образцы окрашиваются тяжелыми металлами или уранилацетатом  
  • Рассечение тканей

    • Биологическая ткань помещается в эпоксидную смолу и разрезается на тонкие срезы  
    • Ультрамикротом используется для получения тонких образцов  
    • Неорганические образцы также могут быть разрезаны на ультратонкие части  
  • Окрашивание образца

    • Образцы биологических тканей окрашиваются тяжелыми металлами для усиления контраста  
    • Отрицательное окрашивание используется для визуализации крупных белков  
  • Механическое фрезерование

    • Полировка используется для подготовки образцов к визуализации  
    • Полировальный состав из алмаза или кубического нитрида бора удаляет царапины  
  • Методы тонкой обработки образцов

    • Химическое травление: разбавление образцов кислотами для подготовки к ПЭМ.  
    • Ионное травление: распыление образцов инертными газами для финишной полировки.  
    • Ионное измельчение (FIB): использование ионов галлия для микромеханической обработки.  
    • Перенос с помощью нанопроволоки: минимизация напряжений и изгиба при перемещении образцов.  
    • Копирование: использование пленки из ацетата целлюлозы для репликации образцов.  
  • Модификации ПЭМ

    • Сканирующий просвечивающий электронный микроскоп (STEM): использование сходящегося луча для формирования изображения.  
    • Низковольтный электронный микроскоп (LVEM): работа при низком напряжении для увеличения контрастности.  
    • Криогенная просвечивающая электронная микроскопия (Cryo-TEM): использование образцов при низких температурах для получения изображений отдельных молекул.  
  • Эксперименты на месте

    • Высокотемпературная ПЭМ: наблюдение фазовых превращений при повышенных температурах.  
    • Проблемы с высокотемпературными держателями: коррекция смещения, измерение температуры, снижение разрешения.  
    • Методы калибровки температуры: ИК-пирометрия, рамановская спектроскопия, рентгеновская дифракция.  
  • Оптимизация разрешения

    • Коррекция сферических аберраций с помощью объектива.  
    • Использование монохроматоров для достижения разрешения 0,05 нм при зазоре между полюсами 5 мм.  
  • Высокое разрешение ПЭМ

    • Позволяет контролировать образец в диапазоне от сотен нанометров до нескольких ангстрем  
    • Визуализирует упругую и пластическую деформацию, движение кристаллографических дефектов  
  • Механические деформирующие держатели

    • Классические держатели: испытания на растяжение, изгиб, сдвиг  
    • Современные держатели: наноиндентирование, микроэлектромеханические системы  
  • Наноиндентирование

    • Проверка твердости материала с помощью твердого наконечника  
    • Измерение приложенного усилия и смещения образца  
  • Микроэлектромеханические системы

    • Дешевая и настраиваемая платформа для механических испытаний  
    • Активные и пассивные системы с различными приводами и датчиками  
  • Сверхбыстрый и динамичный ПЭМ

    • Временное разрешение до сотен фемтосекунд  
    • Динамическая ПЭМ: разрешение до десятков наносекунд и нанометров  
  • Ограничения и пределы разрешения

    • Трудоемкая пробоподготовка, изменение структуры образца  
    • Ограниченное поле зрения, вероятность повреждения образца  
    • Предел разрешающей способности: функция передачи контраста, сферические аберрации  
  • Колебательная природа ПЭМ

    • Некоторые пространственные частоты точно отображаются микроскопом  
    • Другие частоты подавляются  
  • Методы повышения разрешающей способности

    • Реконструкция фокальных рядов  
    • Преобразование Фурье изображений аморфного материала  
  • Достижения в коррекции аберраций

    • Уменьшение сферических аберраций  
    • Разрешение менее 0,5 ангстрема при увеличении более 50 миллионов раз  
  • Применение HRTEM

    • Получение изображений легких атомов, таких как литий  
    • Определение положения атомов в материалах  
    • Важность для нанотехнологий, гетерогенного катализа и полупроводниковых приборов  
  • Дополнительные методы и ресурсы

    • Электронный микроскоп  
    • Криоэлектронная микроскопия  
    • Дифракция электронов  
    • Спектроскопия потерь энергии электронов (EELS)  
    • Просвечивающая электронная микроскопия с фильтром энергии (EFTEM)  
    • Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения (HRTEM)  
    • Низковольтный электронный микроскоп (LVEM)  
    • Прецессионная дифракция электронов  
    • Сканирующая конфокальная электронная микроскопия  
  • Рекомендации и ресурсы

    • Национальный центр электронной микроскопии, Беркли, Калифорния, США  
    • Национальный центр макромолекулярной визуализации, Хьюстон, Техас, США  
    • Национальный центр автоматизированной молекулярной микроскопии, Нью-Йорк, США  
    • Учебные курсы по просвечивающей электронной микроскопии  
    • Учебно-методический комплекс Кембриджского университета по ТЕА  
    • Онлайн-курс по просвечивающей электронной микроскопии и кристаллическим дефектам Эрика Стаха (2008)  
    • Тренажер просвечивающего электронного микроскопа (учебное пособие)  
    • Анимация и пояснения к различным типам микроскопов, включая электронные микроскопы (Парижский университет)  

Полный текст статьи:

Просвечивающая электронная микроскопия — Arc.Ask3.Ru

Оставьте комментарий

Прокрутить вверх