Спектроскопия потерь энергии электронов — Википедия

Спектроскопия потерь энергии электронов Спектроскопия электронных потерь энергии (EELS) Метод электронной микроскопии, при котором электроны с узким диапазоном энергий взаимодействуют […]

Спектроскопия потерь энергии электронов

  • Спектроскопия электронных потерь энергии (EELS)

    • Метод электронной микроскопии, при котором электроны с узким диапазоном энергий взаимодействуют с материалом.  
    • Электроны теряют энергию, что позволяет измерить потери энергии и интерпретировать их.  
    • Включает фононные возбуждения, меж- и внутризонные переходы, плазмонные возбуждения, ионизацию внутренней оболочки и черенковское излучение.  
  • История и развитие

    • Разработан Джеймсом Хиллером и Р.Ф. Бейкером в 1940-х годах.  
    • Получил широкое распространение в 1990-х благодаря достижениям в микроскопическом оборудовании и вакуумной технологии.  
    • Современные приборы позволяют достигать пространственного разрешения до 0,1 нм и энергетического разрешения до единиц МэВ.  
  • Сравнение с EDX

    • EELS дополняет EDX, измеряя атомный состав, химическую связь, валентность и электронные свойства.  
    • EELS лучше подходит для элементов от углерода до переходных металлов, особенно для определения степени окисления атомов.  
    • EDX лучше определяет атомный состав, но менее чувствителен к электронным свойствам.  
  • Варианты EELS

    • Трансмиссионные EELS: кинетическая энергия 100-300 кэВ, электроны проходят через образец.  
    • Отражающие EELS: энергия 10-30 кэВ, электроны отражаются от образца.  
    • Удаленные EELS: электроны взаимодействуют с образцом через кулоновское взаимодействие.  
  • Спектр EELS

    • Спектр делится на области с низкими и высокими потерями энергии.  
    • Спектр с низкими потерями содержит фононные и плазмонные пики, информацию о зонной структуре.  
    • Спектр с высокими потерями содержит границы ионизации, характерные для химического состава.  
  • Измерения толщины

    • EELS позволяет быстро и надежно измерять локальную толщину.  
    • Процедура включает измерение спектра потерь энергии и анализ пика с нулевыми потерями.  
    • Пространственное разрешение ограничено локализацией плазмона и составляет около 1 нм.  
  • Измерения давления

    • Интенсивность и положение пиков EELS зависят от давления.  
    • Метод пиковой смены и метод определения пиковой интенсивности используются для измерения давления.  
    • Метод пиковой интенсивности требует наличия разрешенных и запрещенных переходов с одинаковыми энергиями.  
  • Использование в конфокальной геометрии

    • Сканирующая конфокальная электронная микроскопия с потерей энергии (SCEELM) позволяет достигать разрешения менее 10 нм.  
    • SCEELM использует корректор хроматических аберраций для фокусировки электронов с разбросом энергии более 100 эВ.  
    • Одновременное получение сигналов с нулевыми потерями, малыми потерями и потерями в сердечнике возможно.  

Полный текст статьи:

Спектроскопия потерь энергии электронов — Википедия

Оставьте комментарий

Прокрутить вверх