Multigate device — Wikipedia
Многопозиционное устройство История и развитие транзисторов Транзисторы были изобретены в 1947 году и стали основой электроники. В 1950-х годах были […]
Многопозиционное устройство История и развитие транзисторов Транзисторы были изобретены в 1947 году и стали основой электроники. В 1950-х годах были […]
МОП-транзистор с плавающим затвором Основы FGMOS FGMOS — это тип МОП-транзистора с изолированным затвором, который создает плавающий узел и вторичные
Самоустанавливающиеся ворота Изобретение и патент Самонастраивающиеся ворота были изобретены Кервином, Кляйном и Сараче в 1966 году. Патент на изобретение был
Однопереходный транзистор Определение и применение UJT UJT — это полупроводниковое устройство с одним переходом и тремя выводами. Используется как выключатель
Программируемый однопереходный транзистор Программируемый однопереходный транзистор (PUT) PUT — полупроводниковое устройство, подобное UJT, но управляемое внешними компонентами. UJT имеет делитель
Транзистор с точечным контактом История и разработка транзистора с точечным контактом Транзистор с точечным контактом был разработан в Bell Laboratories
Полевой транзистор Основы полевых транзисторов Полевой транзистор — это полупроводниковый прибор, который изменяет ток в зависимости от приложенного напряжения. Он
Транзистор с рассеянным переходом История транзисторов с диффузионным переходом Транзисторы с диффузионным переходом разработаны позже, чем транзисторы с биполярным переходом.
Транзистор Дарлингтона Конфигурация Дарлингтона Пара Дарлингтона состоит из двух биполярных транзисторов с общим коллектором. Она обеспечивает высокий коэффициент усиления по
Транзистор с биполярным переходом История и развитие транзисторов Транзисторы были изобретены в 1947 году и стали ключевыми компонентами электроники. Они
Тонкопленочный транзистор Определение и история тонкопленочных транзисторов Тонкопленочные транзисторы (TFT) — это транзисторы, изготовленные из тонких пленок полупроводников. Они были
Многопозиционное устройство История и развитие транзисторов Транзисторы были изобретены в 1947 году и стали основой электроники. В 1950-х годах были
Биполярный транзистор с изолированным затвором История и развитие IGBT IGBT — это аббревиатура от Insulated Gate Bipolar Transistor, полупроводникового устройства,
Плавниковый полевой транзистор История и развитие FinFET FinFET — это тип транзистора с затвором, который окружает полупроводниковый канал, что позволяет
Химический полевой транзистор Основы ChemFET ChemFET — это химически чувствительный полевой транзистор, используемый для измерения концентрации химических веществ. Изменение концентрации
Список применений МОП-транзисторов История и развитие МОП-транзисторов МОП-транзисторы были изобретены в 1960 году, но их практическое применение началось в 1968