Ариндам Гхош (физик)

  • Образование и карьера

    • Ариндам Гхош получил степень бакалавра с отличием по физике в Санкт-Петербургском колледже Ксавье в Калькутте.  
    • В 1994 году получил степень магистра, а в 1999 году — степень доктора философии по физике в Индийском научном институте (IISc) в Бангалоре.  
    • Работал постдокторским научным сотрудником в Кембриджском университете (2000-2005).  
    • Вернулся в IISc, где занимал должности ассистента профессора (2005-2011) и доцента (2011-2017).  
    • В 2017 году назначен профессором физики на физическом факультете IISc в Бангалоре.  
    • Был приглашенным научным сотрудником в Tj Watson Research Center IBM в Йорктаун-Хайтс, Нью-Йорк (май 2009 — сентябрь 2009).  
  • Награды

    • В 2012 году удостоен премии Шанти Сварупа Бхатнагара в области науки и техники.  
    • В 2020 году получил премию Infosys Prize в области физических наук.  
  • Научные интересы

    • Исследования включают транспортные свойства двумерных электронных систем в полупроводниках.  
    • Интересуется низкоразмерными системами на основе углерода.  
    • Исследует оптоэлектронные свойства полупроводниковых мембран атомной толщины.  
    • Изучает магнитные наноструктуры и структурную стабильность наноразмерных систем.  

Полный текст статьи:

Ариндам Гош (физик)

Оставьте комментарий

Прокрутить вверх