Плоский процесс
-
Основы планарного процесса
- Планарный процесс используется в полупроводниковой промышленности для создания транзисторов и их соединения.
- Это ключевой метод производства кремниевых интегральных схем и переходов.
- Используются методы пассивации и термического окисления для создания изоляторов и проводников.
-
История и развитие
- Планарный процесс был разработан в 1959 году компанией Fairchild Semiconductor.
- Мохаммед Аталла представил идею пассивации поверхности в 1958 году, а Жан Хорни развил эту идею в планарный процесс.
- Роберт Нойс усовершенствовал концепцию интегральной схемы, используя планарный процесс.
-
Технология и этапы
- Планарный процесс включает окисление диоксида кремния, травление SiO2 и металлизацию для соединения транзисторов.
- Заключительные этапы включают окисление всей пластины, травление контактных отверстий и металлизацию.
-
Современные технологии
- С 2011 года используется глубокая УФ-литография с длиной волны 193 нм.
- С 2022 года применяется EUV-литография с длиной волны 13,5 нм.
-
Дополнительные ресурсы
- Ссылки на статьи и информацию о разработке интегральных схем и планарном процессе.
- Обзор этапов изготовления интегральной схемы на сайте Нобелевской премии.
Полный текст статьи: