Кристаллическое двойникование

Двойникование кристаллов Определение двойникования Двойникование — это симметричное срастание двух или более кристаллов одного минерала.   Поверхность, вдоль которой расположены точки […]

Двойникование кристаллов

  • Определение двойникования

    • Двойникование — это симметричное срастание двух или более кристаллов одного минерала.  
    • Поверхность, вдоль которой расположены точки кристаллической решетки, называется композиционной поверхностью.  
    • Двойникование классифицируется по законам двойничества, специфичным для кристаллической структуры.  
  • Типы двойникования

    • Рост двойников происходит в крупных и мелких частицах.  
    • Трансформационное двойникование изменяет кристаллическую структуру.  
    • Деформационное двойникование развивается в ответ на напряжение сдвига.  
  • Законы двойникования

    • Законы двойникования определяют ориентацию между кристаллическими сегментами.  
    • Они включают операции отражения, вращения и инверсии.  
    • Вращательное двойникование почти всегда представляет собой 2-кратное вращение.  
  • Общие законы двойникования

    • В изометрической системе распространены шпинелевый закон и Железный крест.  
    • В гексагональной системе кальцит демонстрирует контактные двойные законы.  
    • В тетрагональной системе двойники с циклическим контактом наиболее распространены.  
    • В ромбической системе кристаллы сдваиваются в плоскостях, параллельных грани призмы.  
    • В моноклинной системе двойники чаще всего встречаются на плоскостях {100} и {001}.  
    • В триклинной системе наиболее часто встречаются минералы полевого шпата.  
  • Типы двойникования

    • Простые сдвоенные кристаллы могут быть контактными или проникающими.  
    • Контактные двойники встречаются на одной композиционной плоскости.  
    • Пенетрационные двойники выглядят так, будто проходят друг сквозь друга.  
    • Множественные двойники могут быть полисинтетическими или циклическими.  
  • Способы формирования

    • Ростовые двойники образуются при нарушении кристаллической решетки.  
    • Двойники при отжиге возникают при изменении кристаллической системы.  
    • Деформационные двойники развиваются под воздействием напряжения.  
  • Ростовое двойникование

    • Случайное двойникование происходит при присоединении атома к поверхности кристалла.  
    • Двойная структура может быть термодинамически или кинетически благоприятной.  
  • Двойники в наночастицах

    • Наночастицы с пятигранной или десятигранной структурой имеют меньшую энергию.  
    • Дисклинация вдоль общей оси приводит к дополнительной энергии деформации.  
    • Уменьшение свободной энергии поверхности происходит за счет большего количества поверхностных граней.  
  • Трансформационное двойникование

    • Происходит при полиморфном переходе со смещением.  
    • Лейцит и калиевый полевой шпат подвергаются полисинтетическому двойникованию.  
  • Деформационное двойникование

    • Реакция на напряжение сдвига, кристаллическая структура смещается вдоль плоскостей кристалла.  
    • Двойникование всегда зеркальное, плоскость скольжения также является зеркальной.  
    • Деформационное двойникование наблюдается в кальците и других горных породах.  
  • Кристаллография деформационного двойникования

    • Двойникование определяется двойной плоскостью θ и направлением сдвига θ.  
    • Двойники в Zr имеют линзовидную форму.  
    • Двойникование можно описать как поворот на 180° или зеркальное отражение.  
  • Конфигурация деформационного двойникования

    • Двойники зарождаются в местах с максимальной плотностью энергии деформации.  
    • Рост двойника происходит за счет утолщения и подвижности дислокаций.  
    • Двойники приобретают трехмерную форму сплюснутого сфероида.  
  • Макромеханические эффекты

    • Пластическая аккомодация зависит от предела текучести материала и величины сдвига.  
    • Диффузия элементов и сегрегация элементов способствуют росту двойников.  
    • Толщина двойника насыщается при критической плотности остаточных дислокаций.  
  • Критерий роста деформируемого двойника

    • Контролируемое явление, связанное с взаимодействием частиц двойника  
    • Включает упругую энергию, поверхность раздела и объемную свободную энергию  
    • Важно для понимания взаимодействия микроструктуры, температуры и скорости деформации  
  • Ранние исследования

    • Визуализация высокой концентрации деформаций на двойном конце с помощью травления  
    • Использование HR-EBSD для исследования деформации в циркониевом сплаве  
  • Количественное определение LSF

    • LSF используется для описания условий в двойнике  
    • LSF контролирует выбор варианта близнецов  
    • LSF не учитывает энергетический баланс  
  • Эксперименты и наблюдения

    • Количественная оценка поля деформаций перед распространением двойника  
    • Необходимость подходящих методов анализа для объемных образцов  
  • Модели и теории

    • Ллойд описал поле концентрации напряжений перед двойным наконечником  
    • Ван и Ли отметили, что поля напряжений одинаковы для дислокаций, двойникования и мартенситных превращений  
    • Сингулярность поля напряжений регулирует продвижение вершины трещины и дислокаций  
  • Дополнительные исследования

    • Икосаэдрические двойники и их структура  
    • Термины, используемые в кристаллографии  
    • Механизм скольжения и сдвоения в деталях  
    • Минеральные галереи и кристаллы кварца  

Полный текст статьи:

Кристаллическое двойникование

Оставьте комментарий

Прокрутить вверх