‘Кристаллографические дефекты’

F-центр F-центры: определение и свойства F-центры — это кристаллографические дефекты, при которых анионная вакансия занята неспаренными электронами.   Электроны в вакансиях

Дефект Шоттки Определение дефекта Шоттки Дефект Шоттки — это точечный дефект в кристаллической решетке ионных кристаллов.   Дефект образуется при перемещении

Дефект Френкеля Дефект Френкеля в кристаллографии Дефект Френкеля — точечный дефект в кристаллических телах, названный в честь Якова Френкеля.   Образуется

Геометрически необходимые дислокации Геометрически необходимые дислокации Возникают при пластической деформации с внутренними градиентами деформации   Отличаются от статистически сохраненных дислокаций   Статистически

Стресс Пайерлса Напряжение Пайерлса Сила, необходимая для перемещения дислокации в плоскости атомов   Введено Рудольфом Пайерлсом и модифицировано Фрэнком Набарро   Величина

Кинк (материаловедение) Перегибы и их роль Перегибы – это отклонения дислокационного дефекта вдоль плоскости скольжения.   В краевых дислокациях перегибы образуются

Частичный вывих Частичные дислокации Разложившаяся форма дислокации внутри кристаллического материала   Протяженная дислокация состоит из пары частичных дислокаций   Векторная сумма векторов

Ошибка при штабелировании Дефекты упаковки в кристаллографии Дефекты упаковки — это плоские дефекты в кристаллических материалах.   Они возникают из-за ошибок

Кристаллографический дефект Кристаллографические дефекты Нарушение правильного расположения атомов или молекул в кристаллических твердых телах   Периодическая кристаллическая структура, но обычно несовершенна  

Дефект вакансии Определение вакансии Вакансия – это точечный дефект в кристалле, где отсутствует атом.   Кристаллы по своей природе содержат дефекты,