Напряженный кремний
Напряженный кремний Напряженный кремний Кремний с растянутыми атомами кремния, создан путем наложения на подложку из SiGe. Растяжение связей между атомами […]
Напряженный кремний Напряженный кремний Кремний с растянутыми атомами кремния, создан путем наложения на подложку из SiGe. Растяжение связей между атомами […]
Кремний на изоляторе Основы технологии SOI SOI (Silicon-on-Insulator) — технология производства полупроводниковых устройств на изолированном слое кремния. Изоляция от основной
Список применений МОП-транзисторов История и развитие МОП-транзисторов МОП-транзисторы были изобретены в 1960 году, но их практическое применение началось в 1968