Арсенид галлия

  • История и применение арсенида галлия

    • Арсенид галлия (GaAs) был открыт в 1871 году и использовался в радиоприемниках и радарах. 
    • GaAs является полупроводником с широкой запрещенной зоной, что делает его идеальным для использования в солнечных элементах. 
  • Производство и свойства GaAs

    • GaAs производится методом газофазной эпитаксии, который позволяет контролировать рост кристаллов. 
    • GaAs обладает высокой теплопроводностью и может быть легирован для улучшения его свойств. 
  • Применение в фотовольтаике

    • GaAs используется в солнечных элементах благодаря своей высокой эффективности и стабильности. 
    • Солнечные элементы на основе GaAs имеют потенциал для использования в наземных и космических приложениях. 
  • Лазерные диоды и сцинтилляционные свойства

    • GaAs применяется в производстве лазерных диодов и сцинтилляционных фотодиодов. 
    • Он обладает высокой яркостью при криогенных температурах и может использоваться для обнаружения редких электронных возбуждений. 
  • Безопасность и охрана окружающей среды

    • GaAs классифицируется как канцероген, но исследования показывают, что его мелкодисперсные порошки могут вызывать рак легких, а не первичное канцерогенное воздействие. 
  • Перспективы и рекомендации

    • Снижение стоимости и разработка методов снижения затрат на эпитаксиальный рост и подложку могут привести к более широкому использованию GaAs. 
    • GaAs имеет потенциал для использования в различных областях, включая фотовольтаику, лазерные диоды и безопасность. 

Полный текст статьи:

Арсенид галлия — Википедия

Оставьте комментарий

Прокрутить вверх