Оглавление
Б. Джаянт Балига
-
Ранняя жизнь и образование
- Родился 28 апреля 1948 года в Ченнаи, Индия
- Вырос в Джалахалли, Индия
- Отец был инженером-электриком и президентом-основателем индийского отделения IEEE
- Окончил среднюю школу в 1963 году
- Получил степень бакалавра в Индийском технологическом институте в Мадрасе в 1969 году
- Получил степени магистра и доктора философии в Политехническом институте Ренсселера в 1971 и 1974 годах
-
Карьера
- Работал в Центре исследований и разработок General Electric в Скенектади, Нью-Йорк
- В начале 1980-х годов изобрел биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
- В 1988 году поступил на работу в Университет штата Северная Каролина
- В 1997 году получил звание заслуженного университетского профессора
- Основал три компании, производящие полупроводниковые технологии
-
Признание и награды
- Член Национальной инженерной академии (1993) и Европейской академии наук (2005)
- Стипендиат IEEE (1983)
- Получил множество премий IEEE, включая премию Newell Award (1991), премию Morris N. Либмана (1993), премию Дж. Дж. Эберса (1998) и медаль Ламме (1999)
- Владеет 120 американскими патентами
- Включен в число “Восьми героев полупроводниковой революции” журналом Scientific American (1997)
- В 2011 году награжден Национальной медалью в области технологий и инноваций президентом США Бараком Обамой
- В 2014 году награжден почетной медалью IEEE
- В 2015 году получил премию “Глобальная энергия”
- В 2016 году включен в Национальный зал славы изобретателей
- В 2024 году получил Финскую премию тысячелетия в области технологий за изобретение IGBT
-
Влияние и применение
- IGBT используется в различных устройствах, таких как ветряная и солнечная техника, электромобили, медицинские приборы, кухонная техника и электросеть
- Устройство значительно повысило эффективность устройств, использующих электроэнергию