Химическое осаждение из паровой фазы

  • Основы химического осаждения из паровой фазы (CVD)

    • CVD — это метод осаждения материалов из газовой фазы, который включает в себя использование плазмы для создания условий для роста. 
    • Этот метод позволяет создавать материалы с контролируемыми свойствами, такими как толщина, размер и чистота. 
  • История и развитие CVD

    • CVD был разработан в 1950-х годах, но его практическое применение началось в 1960-х годах. 
    • В 1970-х годах были разработаны методы для контроля роста и улучшения качества получаемых материалов. 
    • В 1980-х годах CVD стал широко использоваться в производстве полупроводников и других областях. 
  • Применение CVD

    • CVD используется для создания различных материалов, включая полупроводники, металлы, диэлектрики и наноструктуры. 
    • Он применяется в производстве графена, алмазов и других материалов с уникальными свойствами. 
  • Физические условия и методы анализа

    • Важными параметрами CVD являются давление, температура, газ-носитель и материал камеры. 
    • Для исследования и характеристики образцов используются различные методы анализа, включая рамановскую спектроскопию и просвечивающую электронную микроскопию. 
  • Графеновые нановолокна и алмазы

    • Графен обладает уникальными электронными и тепловыми свойствами, но не подходит для использования в транзисторах. 
    • CVD позволяет выращивать алмазы с контролируемыми свойствами, которые могут использоваться в различных приложениях, включая электронику и оптику. 
  • Халькогениды и другие материалы

    • Теллурид ртути-кадмия используется для обнаружения инфракрасного излучения и может быть получен с помощью CVD. 
    • CVD также применяется для создания других материалов с уникальными свойствами, такими как поликристаллические алмазы и халькогениды. 

Полный текст статьи:

Chemical vapor deposition — Wikipedia

Оставьте комментарий

Прокрутить вверх