Кристаллографический дефект

• Основы дефектов кристаллической решетки

  • Дефекты — это отклонения от идеальной структуры кристалла. 
  • Они могут быть точечными, линейными или объемными. 
  • Точечные дефекты включают вакансии, междоузлия и примеси. 
  • Линейные дефекты включают дислокации и дисклинации. 
  • Объемные дефекты включают поры, трещины и включения. 

• Классификация дефектов

  • Точечные дефекты классифицируются по типу и размеру. 
  • Линейные дефекты классифицируются по типу дислокации. 
  • Объемные дефекты классифицируются по размеру и форме. 

• Примеры дефектов

  • Вакансии и междоузлия являются наиболее распространенными точечными дефектами. 
  • Дислокации и дисклинации являются важными линейными дефектами. 
  • Поры, трещины и включения являются примерами объемных дефектов. 

• Методы изучения дефектов

  • Экспериментальные методы включают просвечивающую электронную микроскопию и атомное зондирование. 
  • Спектроскопия переходных процессов используется для изучения электрических свойств дислокаций. 
  • Компьютерное моделирование широко применяется для изучения свойств дефектов. 

• Математические методы классификации

  • Теория топологических гомотопий используется для классификации дефектов в различных системах. 

• Рекомендации

  • Для дальнейшего чтения рекомендуется книга Хагена Кляйнхерта и статья Германа Шмальцрида.