Дислокация

Дислокация Определение дислокации Дислокация — линейный кристаллографический дефект, содержащий резкое изменение расположения атомов.   Движение дислокаций позволяет атомам скользить друг по […]

Дислокация

  • Определение дислокации

    • Дислокация — линейный кристаллографический дефект, содержащий резкое изменение расположения атомов.  
    • Движение дислокаций позволяет атомам скользить друг по другу при низких напряжениях.  
    • Кристаллический порядок восстанавливается по обе стороны от дислокации, но атомы на одной стороне сдвинуты на одну позицию.  
  • Типы дислокаций

    • Неподвижные дислокации: дислокации типа лестничного стержня и соединение Ломера–Коттрелла.  
    • Подвижные дислокации: краевые и винтовые.  
    • Краевые дислокации возникают из-за обрыва плоскости атомов в середине кристалла.  
  • История и теория

    • Теория упругих полей дефектов разработана Вито Вольтеррой в 1907 году.  
    • Термин «дислокация» введен Дж. Я. Тейлором в 1934 году.  
    • В 1934 году Эгон Орован, Майкл Поланьи и Дж. Я. Тейлор предположили, что пластическую деформацию можно объяснить в терминах теории дислокаций.  
  • Механизмы движения дислокаций

    • Дислокации перемещаются при разрыве связей и соединении атомов на конечной границе.  
    • Энергия, необходимая для разрыва ряда связей, меньше, чем для разрыва всех связей сразу.  
    • Дислокации могут взаимодействовать с другими элементами внутри кристалла, образуя атмосферу Коттрелла.  
  • Образование дислокаций

    • При холодной обработке металлов плотность дислокаций увеличивается.  
    • Деформационное упрочнение происходит из-за увеличения сопротивления движению дислокаций.  
    • Механизмы образования дислокаций: гомогенное зарождение, инициирование образования границ зерен, взаимодействие с поверхностью раздела.  
  • Влияние на свойства материалов

    • Количество и расположение дислокаций влияют на пластичность, твердость и предел текучести металлов.  
    • Термическая обработка, состав сплава и холодная обработка могут изменять количество и расположение дислокаций.  
  • Образование дислокаций

    • Повышенное напряжение на поверхности металла увеличивает количество дислокаций.  
    • Дислокации могут образовываться в плоскости раздела двух кристаллов из-за несоответствия решеток.  
    • Дислокации несоответствия имеют линию дислокации в плоскости раздела и вектор Бюргерса, направленный в направлении нормали к границе раздела.  
  • Облучение и дислокационные петли

    • Облучение может вызывать образование дислокационных петель.  
    • Призматические дислокационные петли образуются при группировке атомов в междоузлиях или вакансиях.  
  • Геометрически необходимые дислокации

    • Геометрически необходимые дислокации обеспечивают ограниченную степень пластического изгиба.  
    • Скопления дислокаций образуют ячеистую структуру с низкоугловыми границами зерен.  
  • Закрепление и упрочнение

    • Добавление точек закрепления может упрочнять материал, требуя более высокого приложенного напряжения.  
    • Термическая обработка (отжиг) может устранить деформационное упрочнение и зернистую структуру.  
  • Устойчивые скользящие ленты

    • Многократное циклирование материала приводит к образованию полос постоянного скольжения (PSB).  
    • PSB состоят из краевых дислокаций и передают пластичность винтовыми смещениями.  
  • Движение дислокаций

    • Дислокации могут скользить в плоскостях, содержащих линию дислокации и вектор Бюргерса.  
    • Подъем дислокаций происходит при перемещении вакансий через кристаллическую решетку.  
  • Лавины дислокаций

    • Лавины дислокаций возникают при одновременном перемещении нескольких дислокаций.  
  • Геометрия дислокаций

    • Существуют краевые и винтовые дислокации, а также смешанные дислокации.  
    • Краевые дислокации имеют вектор Бюргерса, перпендикулярный направлению линии.  
    • Винтовые дислокации имеют вектор Бюргерса, параллельный направлению линии.  
  • Смешанные дислокации

    • Смешанные дислокации имеют угол между направлением линии и вектором Бюргерса.  
  • Частичные смещения и дефекты упаковки

    • Частичные смещения приводят к дефектам упаковки.  
    • Частичный вывих Франка является сидячим, а частичный вывих Шокли — скользящим.  
    • Частичная дислокация Франка образуется путем введения или удаления слоя атомов.  
    • Вектор Бюргерса перпендикулярен плоскости скольжения, что ограничивает скольжение дислокации.  
  • Расширенная дислокация и диссоциация

    • Краевые и винтовые дислокации распадаются на дефекты упаковки.  
    • Ширина области дефекта упаковки пропорциональна энергии дефекта.  
    • Расширенная дислокация способна скользить как единое целое.  
    • Диссоциированные винтовые дислокации должны рекомбинировать для скольжения.  
  • Лестничный марш и перекресток Ломер-Коттрелл

    • Две скользящие дислокации образуют лестничный стержень с дислокацией Ломера-Коттрелла на вершине.  
    • Лестничный стержень аналогичен стержню, удерживающему ковер на лестнице.  
  • Изгиб и заскок

    • Изгиб описывает ступени дислокационной линии вне плоскости скольжения.  
    • Изгибы облегчают скольжение, действуя как точки зарождения.  
    • Заскоки облегчают скольжение, действуя как точки зарождения.  
  • Дислокации в двух измерениях

    • В двух измерениях существуют только краевые дислокации.  
    • Краевые дислокации играют центральную роль в плавлении двумерных кристаллов.  
    • Дислокации могут быть созданы только в парах с антипараллельным вектором Бюргерса.  
  • Наблюдение дислокаций

    • Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) используется для наблюдения дислокаций.  
    • ПЭМ позволяет определить вектор Бюргерса с помощью g-анализа.  
    • Полевая ионная микроскопия и методы атомного зондирования позволяют наблюдать дислокации на атомном уровне.  
  • Химическое травление и силы смещения

    • Химическое травление позволяет наблюдать дислокации в кремнии.  
    • Силы смещения дислокаций описываются уравнением Пича-Келера.  
    • Силы взаимодействия между дислокациями определяются из энергии взаимодействия.  
    • Дислокации стремятся к свободным поверхностям из-за меньшей энергии деформации.  
  • Разница между краевой дислокацией и винтовой дислокацией

    • Краевая дислокация и винтовая дислокация имеют разные характеристики  
    • Краевая дислокация возникает при деформации кристалла  
    • Винтовая дислокация возникает при вращении кристалла  
  • Сканирующий туннельный микроскоп

    • Используется для изучения металлических поверхностей на атомарном уровне  
    • Создана группой физики поверхности Венского технологического университета  
  • Литература

    • Вольтерра В., «О равновесии многосвязных тел»  
    • Сомильяна К., «О теории упругих деформаций»  

Полный текст статьи:

Дислокация

Оставьте комментарий

Прокрутить вверх