Оглавление
EEPROM-память
-
История и развитие EEPROM
- EEPROM – это тип энергонезависимой памяти, который был разработан в 1970-х годах.
- EEPROM использует туннельную инжекцию горячих носителей для программирования и стирания данных.
- В 1971 году IBM и NEC начали исследования в области EEPROM, а в 1973 году IBM представила первую коммерческую EEPROM.
-
Технологии и патенты
- В 1974 году IBM и NEC получили патенты на EEPROM, а в 1975 году NEC представила первую коммерческую EEPROM с технологией EPROM.
- В 1977 году Элияху Харари из Hughes Aircraft Company разработал новую технологию EEPROM с использованием туннельной инжекции Фаулера-Нордхайма.
- В 1980-х годах Intel и другие компании усовершенствовали технологию FLOTOX, которая повысила надежность EEPROM.
-
Современные структуры и безопасность
- Современные EEPROM используются в различных устройствах, включая микроконтроллеры и стандартные продукты.
- Для стирания данных в EEPROM по-прежнему требуется структура из двух транзисторов на бит, в отличие от флэш-памяти с одним транзистором на бит.
- Некоторые устройства EEPROM имеют механизмы защиты от копирования.
-
Интерфейсы и режимы сбоя
- EEPROM используют последовательные или параллельные интерфейсы для ввода/вывода данных.
- Устройства EEPROM имеют ограничения по долговечности и сохранению данных, но обычно гарантируют хранение данных в течение 10 лет.
-
Сравнение с EPROM и флэш-памятью
- EEPROM отличается от EPROM способом программирования и стирания данных, а также от флэш-памяти, которая сочетает в себе программирование с помощью горячих носителей и стирание с помощью туннельной инжекции.
Полный текст статьи: