Оглавление
Флэш-память
-
История и развитие флэш-памяти
- Флэш-память была изобретена в 1960-х годах, но не получила широкого распространения до 1980-х годов.
- В 1980-х годах флэш-память использовалась в компьютерах Apple Macintosh и IBM PC.
- В 1990-х годах флэш-память стала широко использоваться в мобильных устройствах.
- В 2000-х годах флэш-память стала доминирующим типом памяти в мобильных устройствах.
-
Технологии и стандарты
- Флэш-память использует транзисторы с плавающим затвором для хранения данных.
- В 1990-х годах появились технологии MLC и SLC для увеличения емкости памяти.
- В 2000-х годах были разработаны технологии 3D NAND и TLC для увеличения плотности хранения.
- В 2010-х годах началось коммерческое использование 3D-микросхем в мобильных устройствах.
-
Принцип работы и деградация
- Флэш-память хранит данные в массиве ячеек, каждая из которых имеет плавающий затвор.
- Ячейки могут хранить один бит (SLC) или несколько битов (MLC, TLC).
- Деградация флэш-памяти происходит из-за разрушения электроизоляционного туннельного оксида кремния.
-
Процессы программирования и стирания
- Туннелирование Фаулера-Нордгейма используется для изменения порогового напряжения ячейки.
- Современные флэш-чипы используют встроенные зарядные насосы для программирования и стирания.
-
Применение и будущее
- NOR flash по-прежнему используется в встраиваемых приложениях из-за низких задержек считывания.
- Пересказана только часть статьи. Для продолжения перейдите к чтению оригинала.
Полный текст статьи: