МОП-транзистор с плавающим затвором
-
Основы FGMOS
- FGMOS — это тип МОП-транзистора с изолированным затвором, который создает плавающий узел и вторичные транзисторы.
- Затвор FG окружен материалом с высоким сопротивлением, что позволяет сохранять заряд в течение длительного времени.
- Изменение заряда FG осуществляется через туннелирование и инжекцию горячих носителей.
-
Применение FGMOS
- Используется в качестве ячейки памяти, цифрового запоминающего элемента и аналогового запоминающего элемента.
- Применяется в нейронных вычислительных элементах, ЦАП и других устройствах.
-
История и развитие
- Первый МОП-транзистор изобретен в 1959 году, а FGMOS описан в 1967 году.
- Первое практическое применение FGMOS в 1969 году в ячейках памяти.
- В 1989 году FGMOS использован в чипе с искусственной нейронной сетью от Intel.
-
Структура и моделирование
- FGMOS изготавливается путем изоляции затвора и добавления вторичных затворов.
- Для изменения заряда FG используются дополнительные транзисторы.
- Моделирование FGMOS основано на уравнениях МОП-транзистора и учитывает особенности работы с плавающим затвором.
-
Приложения и рекомендации
- FGMOS используется в емкостной связи и программируемых элементах зарядки.
- Применяется в аналоговых схемах, нейронных сетях и других устройствах.
- Ссылки на дополнительные ресурсы и статьи по теме предоставлены в конце статьи.
Полный текст статьи: