Гетероструктурный барьерный варактор
-
Основы гетероструктурного барьерного варактора (HBV)
- HBV — полупроводниковое устройство с переменной емкостью и смещением напряжения.
- Отличается антисимметричной зависимостью тока от напряжения и симметричной зависимостью емкости от напряжения.
- Изобретено в 1989 году Эриком Колльбергом и Андерсом Ридбергом.
-
Конструкция и принцип работы
- Состоит из двух последовательно соединенных выпрямительных диодов, расположенных вплотную друг к другу.
- Внутренняя емкость устройства обозначена промежутком в символе диода.
- Разделение слоев полупроводникового материала с разной шириной запрещенной зоны создает барьер для носителей.
- Слои обычно легированы n, с электронами в качестве основных носителей.
-
Применение и характеристики
- Используется для генерации высокочастотных сигналов из низкочастотного входного сигнала.
- Умножение частоты происходит на частотах от 100 ГГц до 450 ГГц.
- Генерируются только нечетные гармоники из-за симметричной нелинейности.
- Может работать без смещения по постоянному току, что является преимуществом по сравнению с диодом Шоттки.
-
Рекомендации и литература
- Ссылки на публикации, подтверждающие эффективность и возможности HBV в различных областях.
Полный текст статьи: