Гибридно-пи-модель

Оглавление1 Гибридная модель pi1.1 Обзор модели Hybrid-Pi1.2 Параметры BJT1.3 Низкочастотная гибридно-pi-модель1.4 Полная модель1.5 Параметры МОП-транзистора1.6 Ссылки и примечания2 Гибридно-пи-модель — […]

Гибридная модель pi

  • Обзор модели Hybrid-Pi

    • Модель используется для анализа слабых сигналов биполярных переходов и полевых транзисторов. 
    • Предложена Л. Дж. Джаколетто в 1969 году. 
    • Может быть адаптирована для высокочастотных цепей с добавлением емкостей. 
  • Параметры BJT

    • Модель представляет собой двухпортовую сеть с использованием напряжений база-эмиттер и коллектор-эмиттер. 
    • Включает базовые ток слабого сигнала и ток коллектора как зависимые переменные. 
  • Низкочастотная гибридно-pi-модель

    • Транскондуктивность оценивается через постоянный коллекторный ток и тепловое напряжение. 
    • Коэффициент усиления по току на низких частотах (hfe) специфичен для каждого транзистора. 
    • Выходное сопротивление связано с ранним эффектом и может быть представлено через напряжение между базой и эмиттером. 
  • Полная модель

    • Включает виртуальный терминал B’ для представления сопротивления рассеивания базы и диффузионной емкости. 
    • Компоненты обратной связи введены для эффекта раннего развития и эффекта Миллера. 
  • Параметры МОП-транзистора

    • Величина электропроводности оценивается через ток стока в точке добротности. 
    • Пороговое напряжение и напряжение между затвором и источником являются важными параметрами. 
    • Выходное сопротивление обусловлено модуляцией длины канала и связано с технологией. 
  • Ссылки и примечания

    • Упоминаются другие модели, такие как модель малого сигнала и модель с h-параметром. 

Полный текст статьи:

Гибридно-пи-модель — Википедия

Оставьте комментарий