Кремний на изоляторе
-
Основы технологии SOI
- SOI (Silicon-on-Insulator) — технология производства полупроводниковых устройств на изолированном слое кремния.
- Изоляция от основной массы кремния снижает паразитные емкости и повышает энергоэффективность.
- SOI-устройства устойчивы к защелкиванию и могут работать при низких напряжениях.
-
Преимущества и недостатки SOI
- Преимущества включают улучшенную производительность, устойчивость к радиации и совместимость с существующими производственными процессами.
- Недостатки включают более высокую стоимость производства и проблемы с метрологией и моделированием.
-
Типы SOI-транзисторов
- PDSOI (Partially Depleted Silicon-on-Insulator) и FDSOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) — два типа транзисторов с различными характеристиками.
- FDSOI имеют более высокую скорость переключения и меньшее энергопотребление благодаря подавлению разрядной емкости.
-
Производство вафель SOI
- Различные методы включают SIMOX, NanoCleave, ELTRAN и методы затравки.
-
Использование в микроэлектронике
- IBM и AMD используют SOI в высокопроизводительных микропроцессорах, в то время как Intel фокусируется на других технологиях.
- SOI также применяется в радиочастотных и фотонных приложениях.
-
Недостатки и рынок SOI
- Основной недостаток — высокая стоимость производства, в то время как другие производители используют обычные кремниевые пластины.
- Прогнозируется рост рынка SOI на 15% к 2020 году.
-
Ссылки и дополнительные ресурсы
- Ссылки на консорциум SOI Industry Consortium, SOI IP portal и другие ресурсы по технологии SOI.
Полный текст статьи: