Кристаллографические дефекты алмаза

Кристаллографические дефекты в алмазе Дефекты в кристаллической решетке алмаза Дефекты могут быть результатом неровностей решетки или примесей замещения или внедрения.   […]

Кристаллографические дефекты в алмазе

  • Дефекты в кристаллической решетке алмаза

    • Дефекты могут быть результатом неровностей решетки или примесей замещения или внедрения.  
    • Дефекты влияют на цвет и электропроводность алмаза.  
    • Дефекты обнаруживаются с помощью спектроскопии, включая ЭПР, PL, CL и поглощение света.  
  • Маркировка алмазных центров

    • Традиция обозначать дефекты аббревиатурой с номером.  
    • Некоторые аббревиатуры сбивают с толку из-за схожести символов.  
    • Нет четкого различия между обозначениями GR, R и TR.  
  • Симметрия дефектов

    • Симметрия дефектов описывается точечными группами.  
    • В алмазе наблюдались дефекты тетраэдрической, тетрагональной, тригональной, ромбической, моноклинной и триклинной симметрий.  
    • Симметрия дефекта влияет на оптические свойства, например, поглощение инфракрасного излучения.  
  • Внешние дефекты

    • Примеси в алмазе возникают из-за включений посторонних веществ.  
    • Элементы, вводимые в алмазную решетку, включают азот, бор, водород, кремний, фосфор, никель, кобальт и серу.  
    • Азот является наиболее распространенной примесью, составляющей до 1% массы алмаза.  
  • Азот в алмазе

    • Азот может быть в виде одиночных атомов или молекулярного азота.  
    • С-центры придают алмазам желто-коричневый цвет.  
    • А-центры создают порог поглощения ультрафиолетового излучения.  
    • B-центры не индуцируют окрашивание и имеют характерный спектр инфракрасного поглощения.  
    • Центр N3 создает линию поглощения и люминесценции при 415 нм и сопровождается центром N2.  
  • Бор в алмазе

    • Алмазы с бором относятся к типу IIb и имеют цвет от голубого до серого.  
    • Бор является акцептором, создавая электронную дыру в запрещенной зоне.  
  • Легирование бором

    • Бор поглощает красный свет и делает алмаз электропроводным.  
    • Требуется мало атомов бора, типичное соотношение 1 атом бора на 1 000 000 атомов углерода.  
    • Алмазы, легированные бором, пропускают свет до ~ 250 нм и поглощают красный и инфракрасный свет.  
  • Фосфор

    • Фосфор заменяет углерод в кристаллической решетке алмаза.  
    • Фосфор имеет энергию ионизации 0,6 эВ, что делает его пригодным для электроники.  
    • Фосфор используется в ультрафиолетовых светодиодах.  
  • Водород

    • Водород является важной примесью в полупроводниках, включая алмаз.  
    • Водород пассивирует примеси бора и фосфора, образуя неглубокие донорские центры.  
    • В природных алмазах водород связан с пиками ИК-поглощения.  
  • Никель, кобальт и хром

    • Никель, кобальт и хром добавляются при выращивании алмазов для облегчения превращения графита в алмаз.  
    • Никель и кобальт встраиваются в решетку алмаза, образуя дефекты.  
    • Кобальт и хром также образуют дефекты, но их структура неизвестна.  
  • Кремний, германий, олово и свинец

    • Кремний является распространенной примесью в алмазных пленках.  
    • Кремниевые вакансии составляют незначительную долю от общего количества кремния.  
    • Германий, олово и свинец могут быть введены в процессе выращивания или ионной имплантации.  
  • Сера

    • Сера была введена в алмаз для получения проводимости n-типа, но проводимость оказалась p-типа.  
    • Сера образует серно-вакансионный комплекс в природных алмазах.  
  • Внутренние дефекты

    • Внутренние дефекты образуются при облучении высокоэнергетическими частицами.  
    • Изолированные внедрения нестабильны и образуют расщепленные междоузлия.  
    • Промежуточные комплексы образуются при взаимодействии расщепленных междоузлий.  
    • Пустующие межэтажные комплексы образуются при мягком гамма-облучении.  
    • Изолированная вакансия является наиболее изученным дефектом в алмазе.  
  • Оптическое поглощение алмаза

    • Алмаз имеет серию резких линий поглощения, называемых GR1-8.  
    • Линия GR1 при 741 нм является наиболее заметной.  
  • Вакансии и их свойства

    • Вакансии ведут себя как доноры/акцепторы электронов.  
    • Уровень энергии для состояний +/0 составляет 0,6 эВ, для 0/- — на 2,5 эВ выше валентной зоны.  
  • Многокомпонентные комплексы

    • При отжиге алмаза вакансии образуют дивакансии и многовакансийные цепочки.  
    • Дивакансии не вызывают фотолюминесценции, но отжиг изменяет цвет алмаза с зеленого на желто-коричневый.  
  • Дислокации

    • Дислокации создают оборванные связи, вводящие энергетические уровни в запрещенную зону.  
    • Дислокации вызывают широкополосную синюю фотолюминесценцию.  
  • Тромбоциты

    • Тромбоциты — это плоские дефекты в <100> плоскостях кристаллической решетки.  
    • Тромбоциты дают резкие пики поглощения в ИК-спектрах.  
    • Тромбоциты имеют «запрещенную зону» ~1,7 эВ.  
  • Пустотники

    • Пустотники — это октаэдрические кластеры нанометрового размера.  
    • Пустотники возникают при термической деструкции тромбоцитов.  
  • Взаимодействие дефектов

    • Внешние и внутренние дефекты могут взаимодействовать, образуя новые комплексы.  
    • Вакансии и междоузлия взаимодействуют с азотом, образуя азотно-вакантные центры.  
    • Бор и кремний также взаимодействуют с вакансиями, создавая оптическое поглощение.  
  • Рекомендации

    • Химическое осаждение алмаза из газовой фазы.  
    • Кристаллографический дефект.  
    • Бриллиантовый цвет.  
    • Усовершенствование бриллианта.  
    • Облучение драгоценных камней.  
    • Свойства материала алмаза.  
    • Азот-центр вакансий.  
    • Синтетический алмаз.  

Полный текст статьи:

Кристаллографические дефекты алмаза

Оставьте комментарий

Прокрутить вверх