Логика PMOS
-
История и развитие МОП-транзисторов
- МОП-транзисторы были изобретены в 1960 году, но не получили широкого распространения до 1970-х.
- МОП-транзисторы заменили биполярные транзисторы благодаря своей простоте и эффективности.
-
Преимущества и недостатки
- МОП-транзисторы обладают высокой скоростью переключения и низким энергопотреблением.
- Они требуют меньшего количества технологических этапов и дешевле в производстве.
- Однако они имеют более низкую скорость переключения и высокое пороговое напряжение по сравнению с биполярными транзисторами.
-
Коммерческое применение
- В 1964 году General Microelectronics представила PMOS-схему с высокой степенью интеграции.
- Однако надежность PMOS-схем была низкой, что привело к упадку компании.
- Другие компании, включая Intel, продолжали разрабатывать PMOS-схемы, которые стали основой для микропроцессоров и других электронных устройств.
-
Развитие и конкуренция
- В 1968 году была разработана технология поликремниевого самонастраивающегося затвора, что улучшило качество и надежность PMOS-транзисторов.
- NMOS-технология, которая обеспечивала более высокую скорость переключения, начала вытеснять PMOS.
- КМОП-технология обещала еще более низкое энергопотребление, но оставалась сложной в производстве до 1980-х годов.
-
Описание PMOS-схем
- PMOS-схемы имеют ряд недостатков, включая необходимость использования нескольких напряжений питания и высокую рассеиваемую мощность.
- Они также имеют медленное переключение и чувствительны к шуму.
-
Конструкция и работа PMOS-транзисторов
- PMOS-транзисторы используют p-канальные MOSFET для реализации логических элементов.
- Они имеют четыре режима работы, включая режим отсечки и насыщения.
-
Совместимость и требования к питанию
- Для большинства схем PMOS требуется напряжение от 17 до 24 В постоянного тока.
- Микропроцессор Intel 4004 использует поликремниевые затворы для снижения разницы напряжений.
-
Рекомендации
- Для дальнейшего чтения предлагается ознакомиться с дополнительной информацией по теме.
Полный текст статьи: