Магниторезистивное оперативное устройство
-
Основы MRAM
- MRAM (магниторезистивная оперативная память) использует магнитные поля для хранения данных.
- MRAM имеет потенциал для высокой плотности хранения данных, но ограничена циклами записи.
-
Преимущества и недостатки MRAM
- MRAM обладает высокой плотностью хранения данных, сравнимой с DRAM, но имеет более низкую производительность.
- MRAM требует высокого тока записи, что может быть проблемой для энергонезависимых устройств.
- MRAM может быть использована в приложениях, где не требуется высокая плотность хранения данных.
-
История и развитие MRAM
- MRAM была разработана в 1955 году, но получила широкое распространение в 1990-х годах.
- В 1984 году были разработаны первые магниторезистивные запоминающие устройства.
- В 1998 году Motorola представила первый тестовый чип MRAM.
- В 2000-х годах MRAM стала стандартным продуктом Freescale и получила развитие в различных направлениях.
-
Современные разработки и перспективы
- MRAM продолжает развиваться, включая новые материалы и технологии, такие как передача крутящего момента при вращении и спин-поляризованная запись.
- В настоящее время MRAM используется в различных устройствах, включая спутники и смартфоны.
- Everspin, компания, ранее занимавшаяся MRAM, теперь фокусируется на производстве SPI MRAM.
-
Сравнение с другими технологиями памяти
- MRAM конкурирует с другими технологиями памяти, такими как DRAM и Flash, но имеет свои ограничения.
- MRAM может использоваться в специфических приложениях, где не требуется высокая плотность хранения данных.
- Пересказана только часть статьи. Для продолжения перейдите к чтению оригинала.