Медные соединительные элементы
-
Использование меди в полупроводниках
- Медь используется в интегральных схемах для уменьшения задержек и энергопотребления.
- Медь обладает лучшей проводимостью, чем алюминий, что позволяет создавать более тонкие межсоединения.
- Переход от алюминия к меди начался в 1997 году и потребовал значительных технологических изменений.
-
Технологии нанесения рисунка на медь
- До 1988 года медь не использовалась в микрочипах из-за проблем с нанесением рисунка.
- Аддитивное нанесение рисунка, известное как «дамасский» процесс, стало ключевым для создания узорчатых проводников.
- Процесс включает формирование углублений в изоляторе и последующее заполнение их медью.
-
Металлические барьеры и электромиграция
- Металлические барьеры необходимы для предотвращения диффузии меди в кремний и сохранения электропроводности.
- Медь имеет более высокую устойчивость к электромиграции по сравнению с алюминием, что позволяет пропускать большие токи.
-
Сверхконформное электроосаждение меди
- В 2005 году уменьшение размеров транзисторов привело к необходимости улучшения RC-связи межсоединений.
- Гальванопокрытие меди стало ключевым для снижения сопротивления и емкости межсоединений.
- Процесс сверхконформного электроосаждения включает нанесение защитного слоя и последующее физическое осаждение меди.
-
Модели гальванопокрытия и их экспериментальное подтверждение
- Существуют две основные модели гальванопокрытия: CEAC и S-NDR, которые объясняют различные стадии процесса.
- Экспериментальные данные подтверждают обе модели, указывая на роль ускорителя и подавителя в процессе осаждения меди.
Полный текст статьи: