Метод Чохральского
-
Метод Чохральского
- Используется для выращивания монокристаллов полупроводников, металлов, солей и драгоценных камней.
- Изобретен Яном Чохральским в 1915 году, случайно нарисовав оловянную нить.
- Применяется в 90% электроники, использующей полупроводники.
-
Применение
- Изготовление цилиндрических слитков из монокристаллического кремния для электроники.
- Используется для получения кристаллов солей с контролируемым изотопным составом.
-
Производство кремния Чохральского
- Кремний плавится при высокой температуре, легируется для получения p- или n-типа.
- Затравочный кристалл медленно вытягивается и вращается для получения монокристалла.
- Процесс контролируется для избежания нестабильности и проводится в инертной атмосфере.
-
Размеры кристаллов
- Полупроводниковая промышленность использует стандартизированные размеры пластин.
- Размеры пластин увеличиваются для повышения эффективности производства.
-
Содержащие примеси
- Кремний Чохральского содержит кислород, который может влиять на чистоту и механические свойства.
- Примеси кислорода улучшают радиационную стойкость, но могут снижать производительность солнечных батарей.
-
Математическая форма
- Концентрация примесей в твердом кристалле рассчитывается с учетом коэффициента сегрегации.
-
Рекомендации
- Ссылки на дополнительные материалы и процесс допинга Чохральского.
Полный текст статьи: