Монокристаллический кремний
-
Основы монокристаллического кремния
- Монокристаллический кремний (mono c-Si) — ключевой материал для электроники и фотоэлектрических устройств.
- Состоит из кремния с непрерывной кристаллической решеткой, без границ зерен.
-
Методы производства
- Получают из высокочистого полупроводникового кремния с использованием затравки.
- Процесс обычно проводится в инертной атмосфере для предотвращения примесей.
- Распространенный метод — метод Чохральского, с использованием стержня для вытягивания монокристалла.
-
Применение в электронике
- Используется для производства дискретных компонентов и интегральных схем.
- Отсутствие границ зерен улучшает электронные свойства и повышает производительность.
- Важен для создания крупномасштабных интеграционных устройств.
-
Применение в фотоэлектрических устройствах
- Используется для высокоэффективных фотоэлектрических устройств, несмотря на более низкое качество по сравнению с поликристаллическим кремнием.
- Рыночная доля снижается, но производство продолжает расти.
-
Эффективность и рыночная доля
- Имеет самую высокую эффективность преобразования среди коммерческих фотоэлектрических технологий.
- Рыночная доля снизилась с 36% до 25% в 2016 году, но производство продолжает расти.
-
Проблемы производства и перспективы
- Низкая производительность и отходы материала при производстве.
- Технологические достижения могут снизить толщину пластин и уменьшить отходы.
- Исследуются новые методы производства для уменьшения отходов и улучшения качества.
-
Визуальные сравнения
- Представлены фотографии солнечных элементов из монокристаллического и поликристаллического кремния для сравнения.
Полный текст статьи: