МОП-транзистор
-
Основы MOSFET
- MOSFET — полевой транзистор с управляющим затвором, используется в электронике.
- Имеет три основных режима работы: истощение, улучшение и насыщение.
- В режиме истощения ток течет от истока к стоку, в режиме улучшения — от истока к затвору, в режиме насыщения — от затвора к стоку.
-
Режимы работы MOSFET
- Режим истощения: ток течет от истока к стоку при низком напряжении на затворе.
- Режим улучшения: ток течет от истока к затвору при высоком напряжении на затворе.
- Режим насыщения: ток течет от затвора к стоку при высоком напряжении на затворе и стоке.
-
Характеристики MOSFET
- Ток стока зависит от напряжения на затворе и описывается экспоненциальной функцией.
- Пороговая крутизна (g
- m
- ) определяет крутизну изменения тока стока при изменении напряжения на затворе.
- Выходное сопротивление (r
- из
- ) определяет сопротивление канала при изменении напряжения на затворе.
-
Конструктивные параметры MOSFET
- Ширина затвора (W) и длина затвора (L) влияют на проводимость канала.
- Толщина оксида (C
- бык
- ) и легирование влияют на пороговые напряжения и чувствительность к технологическим изменениям.
-
Режимы насыщения и активного состояния
- В режиме насыщения ток стока слабо зависит от напряжения стока и управляется напряжением на затворе.
- В активном состоянии канал не проходит по всей длине устройства, но проводимость сохраняется благодаря большому электрическому полю.
-
Влияние тела на канал
- Применение обратного смещения к подложке pn-перехода приводит к разделению уровней Ферми и увеличению напряжения на затворе.
- Этот эффект называется «эффектом тела» и влияет на силу канала.
-
Условные обозначения схем
- Используются различные символы для обозначения MOSFET в схемах.
- Символы могут отражать режим работы транзистора (усиление, истощение) и тип канала (nMOS, pMOS).
- Пересказана только часть статьи. Для продолжения перейдите к чтению оригинала.
Полный текст статьи: