Оглавление
Многопозиционное устройство
-
История и развитие транзисторов
- Транзисторы были изобретены в 1947 году и стали основой электроники.
- В 1950-х годах были разработаны транзисторы с управляющим p-n переходом.
- В 1960-х годах появились транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
-
Развитие технологии транзисторов
- В 1970-х годах транзисторы стали основой интегральных схем.
- В 1980-х годах были разработаны транзисторы с вертикальным каналом.
- В 1990-х годах появились транзисторы с затвором на основе арсенида галлия.
-
Современные технологии транзисторов
- В 2000-х годах были разработаны транзисторы с затворами на основе нитрида галлия.
- В 2010-х годах были представлены транзисторы с трехзатворной архитектурой.
- В 2020-х годах планируется массовое производство транзисторов с многозатворной архитектурой.
-
Проблемы и перспективы
- Интеграция неплоскостных транзисторов в традиционные процессы производства полупроводников вызывает трудности.
- Многозатворные транзисторы обещают снижение энергопотребления и повышение производительности устройств.
-
Интеллектуальная собственность и патенты
- Транзисторы с трехзатворной архитектурой защищены патентами Intel.
- Технологии FinFET и GAAFET также защищены патентами.
-
Моделирование и анализ
- BSIMCMG106.0.0 является стандартной моделью для FinFET.
- Моделирование и анализ электростатического потенциала позволяют изучать особенности работы многозатворных транзисторов.
Полный текст статьи: