Оглавление
Память для изменения фазы
-
История и развитие памяти с фазовым переходом
- Память с фазовым переходом (PRAM) была предложена в 1960-х годах, но не получила широкого распространения из-за технических проблем.
- В 1990-х годах интерес к PRAM возродился благодаря появлению новых материалов и технологий.
- В 2000-х годах PRAM стала активно разрабатываться, и были достигнуты значительные успехи в плотности и программируемости.
-
Технологии и разработки
- PRAM использует фазовый переход для хранения информации, что позволяет хранить данные в аморфном состоянии.
- В 2000-х годах были разработаны различные типы PRAM, включая многоуровневые ячейки и массивы с высокой плотностью.
- В 2010-х годах появились новые технологии, такие как 3D-PRAM и многоуровневые ячейки с высокой плотностью.
-
Коммерциализация и применение
- PRAM нашла применение в различных областях, включая военную и аэрокосмическую промышленность, где радиационная стойкость является ключевым фактором.
- В 2000-х годах многие компании начали разрабатывать и лицензировать PRAM, включая Intel, Samsung и BAE Systems.
-
Проблемы и перспективы
- PRAM сталкивается с проблемами высокой плотности тока программирования и стабильности при высоких температурах.
- Несмотря на эти проблемы, PRAM продолжает развиваться и может стать ключевым компонентом в будущих технологиях хранения данных.
- Пересказана только часть статьи. Для продолжения перейдите к чтению оригинала.