Плавниковый полевой транзистор
-
История и развитие FinFET
- FinFET — это тип транзистора с затвором, который окружает полупроводниковый канал, что позволяет управлять током более точно.
- Транзисторы FinFET были разработаны в 1980-х годах, но их массовое производство началось в 2000-х годах.
- Они стали доминирующей конструкцией в 14-нм, 10-нм и 7-нм технологических узлах и используются в современных микросхемах.
-
История и развитие FinFET
- Первый тип транзисторов FinFET, известный как «Транзистор с обедненным каналом», был разработан в Японии в 1989 году.
- В 1997 году DARPA финансировало разработку субмикронного транзистора на основе технологии DELTA.
- В 2006 году корейские исследователи из KAIST и Национального центра нанопроизводства разработали 3-нм транзистор.
- В 2011 году Intel представила транзисторы с тремя затворами для повышения энергоэффективности и производительности.
-
Коммерциализация и применение
- В 2002 году TSMC продемонстрировала 25-нанометровый транзистор с низким напряжением.
- В 2004 году Samsung представила «массовый» дизайн FinFET для массового производства.
- В 2011 году Intel начала массовое производство 22-нм транзисторов с тремя затворами.
- В 2013 году SK Hynix и Samsung начали массовое производство 16-нм и 10-нм флэш-памяти соответственно.
- В 2017 году TSMC начала производство 7-нм SRAM.
-
Тенденции и перспективы
- FinFET стали основой для современных наноэлектронных полупроводниковых приборов.
- В 2020 году Ченминг Ху был награжден IEEE Medal of Honor за вклад в разработку FinFET.
- В настоящее время FinFET используются в серийно выпускаемых чипах с производительностью 22 нм и ниже.
- Ведущие производители, такие как TSMC, Samsung и GlobalFoundries, используют конструкции FinFET в своих 14-нм и 16-нм технологических узлах.
- В 2019 году Samsung анонсировала планы по коммерческому производству 3-нм GAAFET-технологии.
-
Рекомендации и внешние ссылки
- Статья содержит ссылки на дополнительные источники информации и материалы по теме.
Полный текст статьи: