Резистивная оперативная память
-
Обзор ReRAM
- ReRAM — это резистивная память, которая может быть переключена между состояниями с высоким и низким сопротивлением.
- Она отличается от других типов памяти, таких как PRAM и MRAM, тем, что использует резистивные переключатели вместо транзисторов.
-
История и развитие
- ReRAM была впервые предложена в 1960-х годах, но не получила широкого распространения из-за технических проблем.
- В 2000-х годах были достигнуты значительные успехи в разработке и коммерциализации ReRAM.
- В 2010-х годах ReRAM стала основным конкурентом флэш-памяти и MRAM, особенно в области энергопотребления и скорости переключения.
-
Технологии и материалы
- ReRAM использует различные материалы, включая оксиды металлов, нитриды и сульфиды.
- В зависимости от материала, ReRAM может иметь различные характеристики, такие как скорость переключения и энергопотребление.
-
Коммерциализация и патенты
- ReRAM активно разрабатывается и коммерциализируется различными компаниями, включая SanDisk, Micron, ITRI, IMEC, Panasonic, HP, Adesto, Weebit Nano и Crossbar.
- Многие компании имеют патенты на различные аспекты технологии ReRAM.
-
Будущие приложения
- ReRAM может использоваться в различных областях, включая смартфоны, ноутбуки, серверы и системы IoT.
- Она обладает преимуществами в скорости переключения и энергопотреблении по сравнению с другими типами памяти.
-
Перспективы и разработки
- ReRAM продолжает развиваться и совершенствовать свои характеристики, включая скорость переключения и долговечность.
- Ведутся исследования по улучшению технологии, включая использование квантовых точек и 3D-печати.
- Пересказана только часть статьи. Для продолжения перейдите к чтению оригинала.