Сегнетоэлектрическое ОЗУ

Сегнетоэлектрический ТАРАН Обзор технологии FeRAM FeRAM (Ferroelectric RAM) — энергонезависимая память, основанная на ферроэлектриках.  Используется в портативных устройствах, где требуется […]

Сегнетоэлектрический ТАРАН

  • Обзор технологии FeRAM

    • FeRAM (Ferroelectric RAM) — энергонезависимая память, основанная на ферроэлектриках. 
    • Используется в портативных устройствах, где требуется длительное хранение данных. 
  • Преимущества и недостатки

    • Преимущества: низкое энергопотребление, высокая надежность, быстрое чтение и запись. 
    • Недостатки: ограниченная масштабируемость, проблемы с размером и стабильностью сегнетоэлектриков. 
  • Коммерческое производство и энергопотребление

    • Коммерческие устройства выпускаются с длиной волны 350 нм и 130 нм. 
    • Энергопотребление значительно ниже, чем у DRAM, благодаря редкому обновлению данных. 
  • Надежность и скорость

    • Надежность данных гарантирована даже в сильных магнитных полях. 
    • Скорость передачи данных сопоставима с DRAM, но могут быть задержки из-за управляющих транзисторов. 
  • Дополнительные показатели и приложения

    • Используется в регистраторах данных, автомобильных системах, интеллектуальных счетчиках и промышленных ПЛК. 
    • Рынок FeRAM относительно небольшой, продажи значительно ниже, чем у флэш-памяти. 
  • Рынок и перспективы

    • Конкуренция с флэш-памятью и MRAM, интеграция в микроконтроллеры. 
    • Возможность увеличения плотности памяти и снижения стоимости за бит. 
  • Временная шкала и рекомендации

    • Продаются чипы с памятью до 16 Мб. 
    • Ссылки на ресурсы и сообщества разработчиков приложений. 

Полный текст статьи:

Сегнетоэлектрическое ОЗУ — Википедия

Оставьте комментарий

Прокрутить вверх