СОНОС
-
История и развитие флэш-памяти
- Флэш-память была изобретена в 1960-х годах и основана на использовании МОП-транзисторов с плавающим затвором.
- В 1967 году была представлена первая энергонезависимая ячейка памяти с плавающим затвором, которая стала основой для современных технологий EEPROM и флэш-памяти.
-
Технология SONOS
- SONOS — это технология флэш-памяти, разработанная в 1960-х годах, которая использует нитрид кремния в качестве улавливающего слоя вместо плавающего затвора.
- SONOS позволяет хранить заряды в изолированном слое нитрида кремния, что обеспечивает более высокую плотность хранения данных и более низкое напряжение для записи.
-
Преимущества и недостатки SONOS
- SONOS имеет более высокую плотность хранения данных по сравнению с традиционной флэш-памятью с плавающим затвором.
- Она также требует меньшего напряжения для записи, что делает ее более энергоэффективной.
- Однако она имеет более низкую надежность из-за возможности захвата электронов в слое нитрида кремния.
-
История и развитие SONOS
- Концепция SONOS была предложена в 1960-х годах, а первые коммерческие устройства с этой технологией появились в начале 1970-х.
- В 1980-х годах были разработаны более эффективные структуры SONOS, которые использовали менее 20 вольт для работы.
- В настоящее время SONOS используется различными компаниями, включая AMD, Fujitsu, UMC и другие, и продолжает развиваться.
-
Сравнение с другими технологиями
- SONOS отличается от других технологий флэш-памяти, таких как EEPROM и флэш-память NAND, использующих плавающий затвор.
- Она имеет более высокую плотность хранения данных, но также более низкую надежность и требует более высокого напряжения для записи.
-
Рекомендации
- Статья предлагает дополнительные ресурсы для углубленного изучения флэш-памяти и технологии SONOS.