Оглавление
Транзистор с рассеянным переходом
-
Транзистор с диффузионным переходом
- Создан путем диффузии легирующих примесей в полупроводниковую подложку
- Разработан позже процессов сплавления и выращивания переходов
- Первый прототип разработан Bell Labs в 1954 году
-
Транзистор с диффузионной базой
- Ранние транзисторы с диффузионным переходом имели эмиттеры и коллекторы из сплава
- Основа была нанесена на подложку, иногда подложка служила коллектором
-
Двойная диффузия
- Кэлвин Саутер Фуллер предложил метод двойной диффузии для формирования эмиттера, основания и коллектора
- Метод кратко описан в “Истории науки” издательства Bell
-
Меза-транзистор
- Texas Instruments выпустила первые кремниевые транзисторы с выращенным переходом в 1954 году
- Диффузионный кремниевый меза-транзистор разработан в Bell Labs в 1955 году
- Поступил в продажу компанией Fairchild Semiconductor в 1958 году
- Имели рассеянные базы и эмиттеры, но край перехода был оголен, что требовало герметизации
-
Плоский транзистор
- Разработан доктором Дж. Джин Хорни из Fairchild Semiconductor в 1959 году
- Планарный процесс позволил создать монолитные интегральные схемы массового производства
- Планарные транзисторы имели пассивирующий слой из диоксида кремния, защищающий края соединений
- Первые планарные транзисторы имели низкую скорость переключения, но стоили дешевле и быстро улучшались
- Планарные транзисторы быстро превзошли характеристики более ранних транзисторов