Полупроводниковая память
-
Определение и типы памяти
- Память — это устройство для хранения данных, которое может быть энергозависимым или энергонезависимым.
- Энергозависимая память (ОЗУ) хранит данные временно и требует постоянного питания.
- Энергонезависимая память (NVM) сохраняет данные даже при отключенном питании.
-
История и эволюция
- Ранняя компьютерная память использовала магнитные сердечники из-за непрактичности полупроводников.
- Биполярная память была разработана в начале 1960-х, но не смогла конкурировать с магнитными сердечниками.
- Появление МОП-транзисторов в 1960-х позволило создать более эффективную и экономичную память.
- В 1970-х годах МОП-память вытеснила магнитные сердечники, став доминирующей технологией.
-
Энергозависимая память
- Статическая оперативная память (SRAM) использует МОП-транзисторы для хранения данных.
- Динамическая оперативная память (DRAM) использует МОП-транзисторы и конденсаторы для хранения данных.
-
Энергонезависимая память
- Маскированная программируемая память (MROM) программируется во время производства.
- Программируемая постоянная память (PROM) может быть записана только один раз.
- Электростираемая программируемая память (EEPROM) позволяет перезаписывать данные.
- Флэш-память занимает промежуточное положение между EEPROM и оперативной памятью.
-
Развитие и применение
- В 1960-х годах были разработаны первые полупроводниковые микросхемы памяти.
- В 1965 году были предложены цифровые системы хранения данных с использованием CMOS.
- В 1968 году была разработана технология MOS IC, что позволило массовое производство микросхем.
- В 1970-х годах MOS-память вытеснила магнитные сердечники как доминирующая технология.
- В 1966 году Роберт Деннард из IBM разработал однотранзисторную DRAM-ячейку.
- В 1980-х годах была изобретена флэш-память, которая стала популярной в портативных устройствах.
Полный текст статьи: