Полупроводниковая память

• Определение и типы памяти

  • Память — это устройство для хранения данных, которое может быть энергозависимым или энергонезависимым. 
  • Энергозависимая память (ОЗУ) хранит данные временно и требует постоянного питания. 
  • Энергонезависимая память (NVM) сохраняет данные даже при отключенном питании. 

• История и эволюция

  • Ранняя компьютерная память использовала магнитные сердечники из-за непрактичности полупроводников. 
  • Биполярная память была разработана в начале 1960-х, но не смогла конкурировать с магнитными сердечниками. 
  • Появление МОП-транзисторов в 1960-х позволило создать более эффективную и экономичную память. 
  • В 1970-х годах МОП-память вытеснила магнитные сердечники, став доминирующей технологией. 

• Энергозависимая память

  • Статическая оперативная память (SRAM) использует МОП-транзисторы для хранения данных. 
  • Динамическая оперативная память (DRAM) использует МОП-транзисторы и конденсаторы для хранения данных. 

• Энергонезависимая память

  • Маскированная программируемая память (MROM) программируется во время производства. 
  • Программируемая постоянная память (PROM) может быть записана только один раз. 
  • Электростираемая программируемая память (EEPROM) позволяет перезаписывать данные. 
  • Флэш-память занимает промежуточное положение между EEPROM и оперативной памятью. 

• Развитие и применение

  • В 1960-х годах были разработаны первые полупроводниковые микросхемы памяти. 
  • В 1965 году были предложены цифровые системы хранения данных с использованием CMOS. 
  • В 1968 году была разработана технология MOS IC, что позволило массовое производство микросхем. 
  • В 1970-х годах MOS-память вытеснила магнитные сердечники как доминирующая технология. 
  • В 1966 году Роберт Деннард из IBM разработал однотранзисторную DRAM-ячейку. 
  • В 1980-х годах была изобретена флэш-память, которая стала популярной в портативных устройствах.